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    HFA04SD60S的技术资料

    来源:芯科国际电子有限公司    发布时间:2009/4/21 20:01:29   浏览点击数:2157
  • HFA04SD60S的产品特征:
    • Ultrafast Recovery Time
    • Ultrasoft Recovery
    • Very Low IRRM
    • Very Low Qrr
    • Guaranteed Avalanche
    • Specified at Operating Temperature


    以上信息由『维库电子开发网』(www.weeqoo.com)整理。

    HFA04SD60S的技术参数:
    Parameters Max Units
    VRRM Cathode-to-Anode Voltage 600 V
    IF(AV) Continuous Forward Current
    TC = 100°C
    4 A
    IFSM Single Pulse Forward Current 25 A
    IFRM Peak Repetitive Forward Current
    TC = 116°C
    16 A
    PD Peak Repetitive Forward Current
    TC = 116°C
    10 W
    TJ, TSTG Operating Junction and Storage Temperatures - 55 to 150 °C


    资料整理:维库电子开发网(www.weeqoo.com),的芯片PDF资料基地。

    HFA04SD60S的产品描述:
    These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in high frequency power conditioning systems. The softness of the recovery eliminates the need for a snubber in most applications. These devices are ideally suited for freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and other applications where high speed and reduced switching losses are design requirements.
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