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OPA657N/250

OPA657N/250资料
OPA657N/250
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Manufacturer:TI
Description:<Mobile SDRAM> • Power Supply Voltage : 1.7~1.95V • LVCMOS compatible with multiplexed address. • Four banks operation. • MRS cycle with address key programs.   -. CAS latency (1, 2 & 3).   -. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page).   -. Burst type (Sequential & Interleave). • EMRS cycle with address key programs. • All inputs are sampled at the positive going edge of the system   clock. • Burst read single-bit write operation. • Special Function Support.   -. PASR (Partial Array Self Refresh).   -. Internal TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)   -. DS (Driver Strength) • DQM for masking. • Auto refresh. • 64ms refresh period (8K cycle). • 1/CS Support.
 
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价 格  
 
 
型 号:OPA657N/250
厂 家:TI
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批 号:07+
数 量:55628
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